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CB201209-151

CB201209-151资料
CB201209-151
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Manufacturer:
Description:  This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. • Silicon Gate for Fast Switching Speeds • Low RDS(on) 0.3 Ω Max • Rugged SOA is Power Dissipation Limited • Source−to−Drain Diode Characterized for Use With   Inductive Loads • Low Drive Requirement VGS(th) = 4.0 V Max • Surface Mount Package on 16 mm Tape
 
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  1PCS 100PCS 1K 10K  
价 格  
 
 
型 号：CB201209-151
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封 装：08＋
批 号：15641
数 量：
说 明：原装现货
 
 
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