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SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3资料
SI7615ADN-T1-GE3
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Manufacturer:VISHAY
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◆ JS202011SCQN
◆ 2041119-1
◆ 541044031
  1PCS 100PCS 1K 10K  
价 格  
 
 
型 号：SI7615ADN-T1-GE3
厂 家：VISHAY
封 装：QFN
批 号：
数 量：15+
说 明：
标准包装3,000
FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压（VDSS）20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C35A
Rds（最大）@ ID，VGS4.4 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id1.5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS183nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的5590pF @ 10V
功率 - 最大52W
安装类型Surface Mount
包/盒PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
包装材料Tape & Reel (TR)
动态目录P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16565?mpart=SI7615ADN-T1-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
Continuous Drain Current Id:35A
Drain Source Voltage Vds:-20V
FET型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate, 2.5V Drive
MSL:MSL 1 - Unlimited
No. of Pins:8
On Resistance Rds(on):0.0035ohm
Operating Temperature Max:150°C
Operating Temperature Min:-55°C
RDS（ON）4.4 mOhms
Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
RoHSRoHS Compliant By Exemption
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
Tariff No.85412900
Threshold Voltage Vgs:-400mV
Transistor Case Style:PowerPAK 1212
Weight (kg)0.00012
产品种类MOSFET
供应商设备封装PowerPAK® 1212-8
其他名称SI7615ADN-T1-GE3CT
功率 - 最大52W
功率耗散52 W
功耗:52W
安装类型Surface Mount
安装风格SMD/SMT
封装Tape & Reel (TR)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8
工作温度范围:-55°C to +150°C
开态Rds（最大）@ Id ，V GS4.4 mOhm @ 20A, 10V
晶体管极性P-Channel
栅极电荷Qg59 nC
标准包装3,000
漏极至源极电压（Vdss）20V
漏源击穿电压- 20 V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C22.1A (Ta), 35A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id1.5V @ 250μA
输入电容（Ciss ） @ VDS5590pF @ 10V
连续漏极电流- 35 A
配置Single
闸电荷（Qg ） @ VGS183nC @ 10V
零件号别名SI7615ADN-GE3
 
 
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